1.基于SOI材料制造新型磁敏三极管
    阐述了基于SOI材料制造新型磁敏三极管的设计原理和制造工艺。构成新型磁敏三极管的复合区采用MEMS中的各向异性腐蚀技术进行设置，给出了这种复合区的复合机理。实验结果表明，此种三极管具有磁灵敏度高、噪声低和可靠性高的特点。
2.基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性
    介绍了一种新型硅磁电负阻-振荡器件——S型负阻-振荡硅磁敏三极管．该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件，采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作．实验结果表明，集电极电流随外加磁场的变化而变化；在基极注入电流一定时，出现集电极电流受外加偏压Ke调制的负阻一振荡特性，且集电极电流振荡随外加磁场而变化．
3.采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究
    给出采用MEMS技术在硅片表面制作矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管的基本结构及灵敏度特性、电压一电流特性、磁电特性和温度特性，对新型硅磁敏三极管样品基本特性进行研究的结果表明：该新型硅磁敏三极管的集电极电流相对磁灵敏度较高，最大可达227％／T，具有负温度系数且温度系数较小。同时，给出影响新型硅磁敏三极管特性的基本因素。
4.激光刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的研究
5.采用MEMS技术制造硅磁敏三极管
6.怎样选用元器件讲座(十八)磁敏三极管
7.3CCM硅磁敏三极管工作机理
8.2010.9.19
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