《射频磁控溅射法制备VO2热致变色镀膜玻璃》资料目录：
第1章 概述 9-15
    引言 9-10
    1.1 二氧化钒薄膜的相变性质及其应用 10-12
    1.2 二氧化钒薄膜用于热致变色智能窗玻璃的研究进展 12-13
    1.3 本文研究的意义和目的 13-14
    1.4 本章小结 14-15
第2章 二氧化钒的基本性质及其薄膜制备工艺 15-27
    2.1 钒的性质 15-17
        2.1.1 钒的发现历史及储量 15-16
        2.1.2 钒的主要物理化学性质 16-17
    2.2 钒氧化合物及其性质 17-20
    2.3 二氧化钒的物理化学性质 20-22
        2.3.1 二氧化钒的主要物理化学性质 20
        2.3.2 二氧化钒两相的晶体结构 20-21
        2.3.3 二氧化钒两相的能带变化 21-22
    2.4 二氧化钒薄膜相变前后光电性能的转换 22-24
    2.5 二氧化钒薄膜的制备技术 24-26
        2.5.1 真空蒸镀法 24
        2.5.2 脉冲激光沉积法 24-25
        2.5.3 溶胶—凝胶法 25
        2.5.4 磁控溅射法 25-26
    2.6 本章小结 26-27
第3章 薄膜的理论基础 27-32
    3.1 薄膜的生长过程 27-29
        3.1.1 气相离子的吸附 27-28
        3.1.2 薄膜的形成 28-29
    3.2 薄膜的结构和缺陷 29-31
        3.2.1 薄膜的晶体结构分析 30-31
        3.2.2 薄膜的缺陷 31
    3.3 本章小结 31-32
第4章 二氧化钒热致变色薄膜的制备及表征方法 32-37
    4.1 靶材的选购 32
    4.2 玻璃基片的清洗 32
    4.3 实验的主要装置 32-34
        4.3.1 溅射镀膜设备 32-33
        4.3.2 气氛退火装置 33-34
    4.4 制备二氧化钒薄膜的工艺流程 34-35
    4.5 薄膜试样的结构和性能表征方法 35-36
        4.5.1 薄膜厚度的测定 35
        4.5.2 薄膜成分的测定 35
        4.5.3 薄膜结构的测定 35-36
        4.5.4 电学性能测试 36
        4.5.5 光学性能测试 36
        4.5.6 中红外反射率测试 36
    4.6 本章小结 36-37
第5章 工艺参数对薄膜结构和性能的影响 37-57
    5.1 氧气分压对薄膜性能的影响 37-47
        5.1.1 氧分压对溅射沉积速率的影响 37-39
        5.1.2 氧分压对薄膜电学性能的影响 39-42
        5.1.3 氧分压对薄膜成分的影响 42-46
        5.1.5 氧分压对薄膜光学带隙的影响 46-47
    5.2 热处理对薄膜结构及性能的影响 47-56
        5.2.1 热处理气氛的选择及方案的确定 47-48
        5.2.2 氧化钒薄膜热处理过程中SiO_2阻挡层的作用及制备 48-52
        5.2.3 结果讨论与分析 52-56
    5.3 本章小结 56-57
第6章 相变型VO_2热致变色薄膜的制备及其性能表征 57-68
    6.1 VO_2热致变色薄膜的制备 57
    6.2 最佳氧气分压的确定 57-59
    6.3 实验结果分析及性能表征 59-67
        6.3.1 薄膜的结构分析 59-61
        6.3.2 薄膜的形貌分析 61-62
        6.3.3 薄膜的电学性能 62-64
        6.3.4 薄膜的光学性能 64-67
    6.4 本章小结 67-68
第7章 结论 68-70
     内容简介：本文采用反应磁控溅射法,分别利用还原退火及直接溅射沉积两种方法尝试制备了VO2薄膜,并最终在较低沉积温度下（300℃）成功制备出了具有良好相变性能的VO2薄膜,这是本文的独到和创新之处。本文重点研究了氧分压变化及热处理条件对薄膜的结构与性能的影响,并讨论了玻璃基片上预镀SiO2膜对热处理过程中薄膜结构及性能的影响。在基片为300℃时,制备了不同厚度的VO2相变薄膜,研究了不同厚度下薄膜结构及光电性能的变化。得到的结论如下:1)随着溅射工作气体中氧分压的增加,薄膜沉积速率逐渐降低;当氧分压增大至3%左右时,薄膜的沉积速率趋于稳定。随着氧分压的增加,薄膜中低价钒氧化物的成分逐渐减少,V2O5的含量逐渐增加,薄膜的方块电阻也随之增大...