纳米世界中纳米颗粒和纳米结构材料表现的奇妙特性，以及它们在光、电、磁和生化等各个领域展现的非凡应用前景，激发着人们对这一领域进行更加深入的研究。本论文用电化学腐蚀方法制备了硅纳米(Si Nano-cyrstalline)薄膜，用热蒸发技术制备了四角状和线性一维ZnO纳米结构，并对这些材料的应用进行研究。主要内容如下： 1．系统研究了纳米硅的电化学制备条件，分析了腐蚀条件对纳米硅薄膜的微观结构的影响，获得了制备硅纳米的最佳参数。我们对纳米硅薄膜进行了全面表征，用TEM分析了纳米硅的晶格结构，用SEM观测纳米硅薄膜的正面和剖面的微观结构，XRD分析了纳米硅薄膜的晶格膨胀率，用Rarnan shift估算了纳米硅的平均直径。 2．研究纳米硅薄膜作为衬底材料在微波集成电路制备中的应用。测试了该薄膜材料的电阻率，以它为衬底制备共平面波导，并分别和以石英、多晶硅为衬底在20GHz到40GHz的范围内进行插入损耗比较。结果表明氧化纳米硅薄膜在上述波段中的损耗只有5dB／cm，略高于石英，但远远小于多晶硅。研究结果表明该薄膜材料是实现在低阻硅上制备低损耗微波无源器件的理想衬底材料。 3．研...
摘要4-6
Abstract6-8
目录8-10
第一章 半导体纳米结构及应用综述10-22
    1.1 引言10-11
    1.2 纳米硅的制备和应用11-15
    1.3 纳米Z_NO材料的制备和应用15-18
    1.4 本论文的工作18-19
    参考文献19-22
第二章 纳米硅薄膜的制备及其性质表征22-40
    2.1 引言22
    2.2 电化学腐蚀方法22-26
    2.3 单晶纳米硅薄膜的实验制备和表征26-32
    2.4 单晶纳米硅薄膜制备参数选择32-38
    2.5 小结38
    参考文献38-40
第三章 纳米硅薄膜在微波IC中的应用40-49
    3.1 引言40-41
    3.2 微波损耗理论41-43
    3.3 纳米硅薄膜电阻率的测量43-44
    3.4 纳米硅薄膜上制备低损耗CPW44-46
    3.5 小结46
    参考文献46-49
第四章 纳米硅在场发射中的应用49-59
    4.1 引言49-50
    4.2 场发射理论50-52
    4.3 电子场发射实验52
    4.4 实验结果讨论52-57
    4.5 小结57-58
    参考文献58-59
第五章 氧化锌纳米结构的制备以及在场发射中的应用59-74
    5.1 引言59-60
    5.2 Z_NO纳米结构的实验制备60-62
    5.3 制备条件对氧化锌纳米结构的影响62-68
    5.4 生长模式的讨论68-70
    5.5 Z_NO纳米结构的场发射特性70-71
    5.6 小结71-72
    参考文献72-74
第六章 结论74-76

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