随着信息技术的日益发展,人们对信息的传递速度、储存能力、处理功能提出更高要求。如果能在硅基微电子基础上引入光电子技术,用光波代替电子作为信息载体,则可大大地提高信息传输速度和处理能力,使电子计算机、通信和显示等信息技术发展到一个全新的阶段。但硅(Si)电子集成电路受到器件尺寸和Si 中电子运动速度的限制。硅基发光材料就是由于其在硅基光电子集成方面的潜在应用而成为人们关注的焦点。 为了使硅能够发光,人们尝试了多种方法。例如,利用蒸发、溅射、或分子束外延(MBE)生长等方法在硅衬底上进行发光材料的异质生长;根据缺陷工程的概念,在硅中人为地引入诸如C、Ge、Sn、Pb 的等电子陷阱,或掺入稀土金属Er;根据能带工程的概念,制作了Ge-Si 应变超晶格,通过改变材料结构来改变硅的能带结构等等。从可见发光特性的角度来看,以上方法都不甚理想。 自从Canham 首次发现电化学阳极氧化多孔硅(PS)的强室温光致荧光现象以来,多孔硅发光引起了人们的兴趣。关于多孔硅的发光机制存在许多争论,人们提出了许多模型,如量子限制模型、表面态模型、非纯硅发光物质模型、表面化学键制约量子限制模型、综合发光(量子限制-表面态)模型。目...
摘要5-9
Abstract9-13
第一章 绪论13-29
    1.1 多孔硅13-25
    1.2 掺铒硅25-26
    1.3 纳米硅26
    1.4 超晶格和量子阱结构材料26
    1.5 选题依据26-29
第二章 电沉积纳米氧化锌29-41
    2.1 纳米 ZnO 粒子的制备方法29-30
    2.2 电解过程分析30-32
    2.3 结果及讨论32-40
    2.4 本章小结40-41
第三章 纳米氧化锌修饰多孔硅41-53
    3.1 多孔硅的制备41-42
    3.2 电沉积纳米氧化锌修饰多孔硅的制备42
    3.3 电沉积纳米氧化锌修饰多孔硅的表面形貌42-44
    3.4 电沉积纳米氧化锌修饰多孔硅的室温光致荧光分析44-46
    3.5 磁控溅射纳米氧化锌修饰多孔硅的制备46
    3.6 磁控溅射纳米氧化锌修饰多孔硅的表面形貌46-48
    3.7 磁控溅射纳米氧化锌修饰多孔硅的室温光致荧光分析48-49
    3.8 电沉积纳米氧化锌修饰多孔硅的发光机理49-51
    3.9 本章小结51-53
第四章 n 型多孔硅上生长 Zn_2SiO_4:Mn 及其表征53-61
    4.1 多孔硅的制备53
    4.2 多孔硅的氧化53
    4.3 纳米 Zn2SiO4:Mn 的制备53
    4.4 可能的反应机理53-54
    4.5 结果与讨论54-60
    4.6 本章小结60-61
第五章 结论61-63

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